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大陸加速啟動(dòng)半導(dǎo)體國產(chǎn)化(轉(zhuǎn))

日期：2020-03-13 / 人氣：59 / 來源：

[概要說明]中國市場中已出現(xiàn)出一批掌握IGBT核心技術(shù)的境內(nèi)本土企業(yè)，如斯達(dá)半導(dǎo)、士蘭微、臺基股份、聞泰科技、揚(yáng)杰科技、華微電子、振華科技等，中國IGBT國產(chǎn)化進(jìn)程在肺炎疫情過后加速啟動(dòng)。

雖然2020年上半年疫情來勢洶洶，肆虐大陸及全球，也影響大陸分離式元件制造業(yè)景氣的表現(xiàn)，不過在歷經(jīng)2020年上半年疫情沖擊中國半導(dǎo)體相關(guān)行業(yè)營運(yùn)之后，預(yù)計(jì)中央財(cái)政支援下的積極舉措及金融系統(tǒng)的舉措，無疑會對中國經(jīng)濟(jì)成長率在疫情結(jié)束后產(chǎn)生激勵(lì)的作用，同時(shí)原本延遲的終端應(yīng)用市場需求將會恢復(fù)，并且出現(xiàn)補(bǔ)償式的增長，而中國本產(chǎn)業(yè)中長期的發(fā)展仍會恢復(fù)正軌。

即隨著工業(yè)控制、家電及新能源行業(yè)市場的逐步回暖，尤其是新能源汽車市場的快速發(fā)展與智能駕駛技術(shù)的應(yīng)用，絕緣柵雙極電晶體（IGBT）在此領(lǐng)域的市場規(guī)模可望逐步成長，代表IGBT的產(chǎn)品性能卓越，已成為中高階功率半導(dǎo)體發(fā)展的主流，更何況IGBT國產(chǎn)化將成為中國關(guān)鍵分離式元件的發(fā)展重點(diǎn)之一。

另外值得一提的是，目前功率器件主要以硅（Si）基材料為主，包括絕緣層上覆硅（SOI）高壓集成電路，隨著第3代半導(dǎo)體的發(fā)展，相較于氧化鋅（ ZnO）、金剛石、氮化鋁等第3代半導(dǎo)體材料的研究尚屬起步階段，反觀以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的半導(dǎo)體材料開始成為功率半導(dǎo)體的新興材料，特別是2020年2月13日小米發(fā)布GaN充電器、2月14日VIVO realme也宣布將在X50上全系搭載GaN充電器，顯然GaN芯片已經(jīng)完成從高階功率器件到消費(fèi)電子的轉(zhuǎn)換，主要系因GaN在電源管理、發(fā)電和功率輸出方面具有明顯的技術(shù)優(yōu)勢，該材料未來的發(fā)展?jié)摿χ档闷诖?/div>

事實(shí)上，中國市場中也出現(xiàn)出一批掌握IGBT核心技術(shù)的境內(nèi)本土企業(yè)，例如斯達(dá)半導(dǎo)、士蘭微、臺基股份、聞泰科技、揚(yáng)杰科技、華微電子、振華科技等，顯然未來中國IGBT國產(chǎn)化進(jìn)程在肺炎疫情過后恐加速啟動(dòng)，而陸系企業(yè)從二極體、三極管往MOFET、IGBT不斷實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品升級，而能否打破市場由絕大多數(shù)被國外廠商壟斷，包括Infineon、STM、ON Semi、Mitsubishi、Fuji Electric、Fairchild、Semikron、Renesas等的局面，此競爭態(tài)勢的改變值得臺灣廠商高度關(guān)注。

而對于臺系業(yè)者而言，雖然2020年上半年本產(chǎn)業(yè)面臨來自于疫情的干擾，不過中國臺灣半導(dǎo)體分立器件制造業(yè)者為中長期發(fā)展的布局仍持續(xù)展開，如為因應(yīng)未來的電動(dòng)車及混合能源車市場規(guī)模逐步擴(kuò)大，已經(jīng)有多家國際IDM大廠開始著手研發(fā)IGBT、GaN產(chǎn)品線，朋程則是代表廠商，公司正在桃園廠興建新廠房，預(yù)計(jì)2021年第一季全面落成，屆時(shí)將主攻新能源市場；另外其他國內(nèi)業(yè)者亦積極布局新產(chǎn)品領(lǐng)域，包括推出TVS保護(hù)元件、節(jié)能元件及車用整流元件、MOSFET整流產(chǎn)品等，期望藉由擴(kuò)大產(chǎn)品的供應(yīng)面，來使公司營運(yùn)可穩(wěn)步向上。

大陸加速啟動(dòng)半導(dǎo)體國產(chǎn)化(轉(zhuǎn))

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